功能描述：MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

制造商：infineon technologies

系列：HEXFET?

包装：管件

零件状态：过期

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8.9A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：18.3 毫欧 @ 8.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：7.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：540pF @ 10V

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

标准包装：95

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